Εργοστασιακή πώληση Snubber For High Power Thyristor - Σχεδιασμός πυκνωτή IGBT Snubber υψηλής ποιότητας για εφαρμογές υψηλής ισχύος – CRE

Εργοστασιακό Snubber For High Power Thyristor - Σχεδίαση πυκνωτή IGBT Snubber υψηλής ποιότητας για εφαρμογές υψηλής ισχύος – Προτεινόμενη εικόνα CRE

Σύντομη περιγραφή:

Λεπτομέρεια προϊόντος

Ετικέτες προϊόντων

Σχετικό βίντεο

Σχόλια (2)

Οι καλά εξοπλισμένες εγκαταστάσεις μας και η εξαιρετική διαχείριση καλής ποιότητας σε όλα τα στάδια παραγωγής μας επιτρέπουν να εγγυηθούμε την απόλυτη ικανοποίηση των αγοραστών γιαΠυκνωτής Dc Link Inverter συγκόλλησης , Πυκνωτής φιλμ για μετατροπέα Abb , Ηλεκτρονικός πυκνωτής, Επομένως, μπορούμε να ανταποκριθούμε σε διαφορετικά ερωτήματα από διαφορετικούς πελάτες.Βρείτε τον ιστότοπό μας για να δείτε περισσότερες πληροφορίες από τα προϊόντα μας.

Εργοστασιακή πώληση Snubber For High Power Thyristor - Σχεδιασμός πυκνωτή IGBT Snubber υψηλής ποιότητας για εφαρμογές υψηλής ισχύος – Λεπτομέρεια CRE:

Τεχνικά δεδομένα

Εύρος θερμοκρασίας λειτουργίας	Μέγιστη Θερμοκρασία λειτουργίας., Top, max: +105℃ Θερμοκρασία ανώτερης κατηγορίας: +85℃ Θερμοκρασία κατώτερης κατηγορίας: -40℃
εύρος χωρητικότητας	0,1μF～5,6μF
Μετρημένη ηλεκτρική τάση	700V.DC～3000V.DC
Cap.tol	±5%(J);±10%(K)
Αντοχή στην τάση	1,5 Un DC/10S
Συντελεστής διάχυσης	tgδ≤0,0005 C≤1μF f=10KHz tgδ≤0,001 C≥1μF f=10KHz
Αντοχή μόνωσης	C≤0,33μF RS≥15000 MΩ (στα 20℃ 100V.DC 60S) C＞0,33μF RS*C≥5000S(στα 20℃ 100V.DC 60S)
Αντοχή κρουστικού ρεύματος	δείτε το φύλλο δεδομένων
Επιβράδυνση φλόγας	UL94V-0
Προσδόκιμο ζωής	100000h (Un; Θhotspot≤85°C)
Πρότυπο αναφοράς	IEC61071;GB/T17702;

Πίνακας προδιαγραφών

Τάση	Un 700V.DC,Urms400Vac;Us1050V
	Διάσταση (mm)
Cn(μF)	L(±1)	T(±1)	H(±1)	ESR @100KHz (mΩ)	ESL(nH)	dv/dt (V/μS)	Ipk(A)	Irms @40℃ @100KHz (A)
0,47	42,5	24.5	27.5	12	25	500	235	8
0,68	42,5	24.5	27.5	10	25	480	326,4	10
1	42,5	24.5	27.5	8	24	450	450	12
1.5	42,5	33.5	35,5	7	25	430	645	5
2	42,5	33	35,5	6	24	420	840	15
2.5	42,5	33	45	6	23	400	1000	18
3	42,5	33	45	5.5	22	380	1140	20
3	57,5	30	45	5	26	350	1050	22
3.5	42,5	33	45	5	23	350	1225	25
3.5	57,5	30	45	6	25	300	1050	22
4.7	57,5	35	50	5	28	280	1316	25
5.6	57,5	38	54	4	30	250	1400	25
6	57,5	38	54	3.5	33	230	1380	28
6.8	57,5	42,5	56	3.2	32	220	1496	32
8	57,5	42,5	56	2.8	30	200	1600	33
Τάση	Un 1000V.DC,Urms500Vac;Us1500V
	Διάσταση (mm)
Cn(μF)	L(±1)	T(±1)	H(±1)	ESR(mΩ)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	Ipk(A)	Irms
0,47	42,5	24.5	27.5	11	25	1000	470	10
0,68	42,5	24.5	27.5	8	25	800	544	12
1	42,5	33.5	35,5	6	24	800	800	15
1.5	42,5	33	45	6	24	700	1050	15
2	42,5	33	45	5	22	700	1400	20
2.5	57,5	30	45	5	30	600	1500	22
3	57,5	35	50	4	30	600	1800	25
3.3	57,5	35	50	3.5	28	550	1815	25
3.5	57,5	38	54	3.5	28	500	1750	25
4	57,5	38	54	3.2	26	500	2000	28
4.7	57,5	42,5	56	3	25	420	1974	30
5.6	57,5	42,5	56	2.8	24	400	2240	32
Τάση	Un 1200V.DC,Urms550Vac;Us1800V
Cn(μF)	L(±1)	T(±1)	H(±1)	ESR(mΩ)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	Ipk(A)	Irms
0,47	42,5	24.5	27.5	11	24	1200	564	10
0,68	42,5	33.5	35,5	7	23	1100	748	12
1	42,5	33.5	35,5	6	22	800	800	14
1.5	42,5	33	45	5	20	800	1200	15
2	57,5	30	45	4	30	750	1500	20
2.5	57,5	35	50	4	28	700	1750	25
3	57,5	35	50	4	27	600	1800	25
3.3	57,5	38	54	4	27	550	1815	28
3.5	57,5	38	54	3.5	25	500	1750	28
4	57,5	42,5	56	3.5	25	450	1800	30
4.7	57,5	42,5	56	3.2	23	420	1974	32
Τάση	Un 1700V.DC,Urms575Vac;Us2250V
Cn(μF)	L(±1)	T(±1)	H(±1)	ESR(mΩ)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	Ipk(A)	Irms
0,33	42,5	24.5	27.5	12	25	1300	429	9
0,47	42,5	24.5	27.5	10	24	1300	611	10
0,68	42,5	33.5	35,5	8	23	1300	884	12
1	42,5	33	45	7	22	1200	1200	15
1.5	42,5	33	45	6	22	1200	1800	18
1.5	57,5	30	45	5	31	1200	1800	20
2	57,5	30	45	5	30	1100	2200	22
2.5	57,5	35	50	4	28	1100	2750	25
3	57,5	38	54	4	27	700	2100	25
3.3	57,5	38	54	3.8	26	600	1980	28
3.5	57,5	42,5	56	3.5	25	500	1750	30
4	57,5	42,5	56	3.2	25	450	1800	32
Τάση	Un 2000V.DC,Urms700Vac;Us3000V
Cn(μF)	L(±1)	T(±1)	H(±1)	ESR(mΩ)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	Ipk(A)	Irms
0,22	42,5	24.5	27.5	15	25	1500	330	10
0,33	42,5	33.5	35,5	12	24	1500	495	12
0,47	42,5	33.5	35,5	11	23	1400	658	15
0,68	42,5	33	45	8	22	1200	816	18
0,68	57,5	30	45	7	30	1100	748	20
0,82	42,5	33	45	7	28	1200	984	22
1	57,5	30	45	6	28	1100	1100	25
1.5	57,5	35	50	5	25	1000	1500	28
2	57,5	38	54	5	24	800	1600	28
2.2	57,5	42,5	56	4	23	700	1540	32
Τάση	Un 3000V.DC,Urms750Vac;Us4500V
Cn(μF)	L(±1)	T(±1)	H(±1)	ESR(mΩ)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	Ipk(A)	Irms
0,15	42,5	33	45	18	28	2500	375	25
0,22	42,5	33	45	15	27	2200	484	28
0,22	57,5	35	50	15	25	2000	330	20
0,33	57,5	35	50	12	24	1800	495	20
0,47	57,5	38	54	11	23	1600	752	22
0,68	57,5	42,5	56	8	22	1500	1020	28

Εικόνες λεπτομερειών προϊόντος:

Οδηγός σχετικού προϊόντος:

Πρόθεσή μας είναι συνήθως να ικανοποιήσουμε τους αγοραστές μας προσφέροντας χρυσό πάροχο, εξαιρετική τιμή και καλή ποιότητα για Factory made hot-sale Snubber For High Powered Thyristor - Υψηλής κατηγορίας IGBT Snubber capacitor design for high power applications – CRE , Το προϊόν θα προμηθεύσει σε όλους σε όλο τον κόσμο, όπως: Μονακό, Πορτογαλία, Μόντρεαλ, Έχουμε πελάτες από περισσότερες από 20 χώρες και η φήμη μας έχει αναγνωριστεί από τους αξιότιμους πελάτες μας.Η ατελείωτη βελτίωση και η προσπάθεια για ανεπάρκεια 0% είναι οι δύο κύριες πολιτικές ποιότητας μας.Αν χρειαστείτε οτιδήποτε, μη διστάσετε να επικοινωνήσετε μαζί μας.

Φίλτρο εναλλασσόμενου ρεύματος που χρησιμοποιείται για σύστημα ισχύος έλξης σιδηροτροχιών

Πυκνωτής Dc-Link για βιομηχανικούς μετατροπείς

Πυκνωτής μεμβράνης ξηρού τύπου

Film Capacitor Factory

Κατασκευαστής Πυκνωτών Ταινιών

Παγκόσμιος προμηθευτής πυκνωτών

Πυκνωτές αποθήκευσης υψηλής ενέργειας

Igbt Snubber

Πυκνωτής συντονισμού φούρνου μέσης συχνότητας

Πυκνωτής ισχύος για σύνδεση Dc

Δεν είναι εύκολο να βρεις έναν τέτοιο επαγγελματία και υπεύθυνο πάροχο στη σημερινή εποχή.Ελπίζουμε ότι μπορούμε να διατηρήσουμε μακροπρόθεσμη συνεργασία.

Από τη Maxine από το Μαϊάμι - 16.06.2017 18:23

Αυτή η επιχείρηση στον κλάδο είναι ισχυρή και ανταγωνιστική, προχωρώντας με την εποχή και αναπτύσσεται βιώσιμη, είμαστε πολύ χαρούμενοι που έχουμε την ευκαιρία να συνεργαστούμε!

Από τη Sara από το Μπελίζ - 25.06.2017 12:48