GTO snubber πυκνωτής σε ηλεκτρονικό εξοπλισμό ισχύος

Σύντομη περιγραφή:

Τα κυκλώματα Snubber είναι απαραίτητα για τις διόδους που χρησιμοποιούνται στα κυκλώματα μεταγωγής.Μπορεί να σώσει μια δίοδο από αιχμές υπέρτασης, που μπορεί να προκύψουν κατά τη διαδικασία ανάστροφης ανάκτησης.

Στείλτε μας email Λήψη ως PDF

Λεπτομέρεια προϊόντος

Ετικέτες προϊόντων

Τεχνικά δεδομένα

Εύρος θερμοκρασίας λειτουργίας	Μέγιστη θερμοκρασία λειτουργίας.,Κορυφαία,μέγιστη: + 85℃Θερμοκρασία ανώτερης κατηγορίας: +85℃Θερμοκρασία κατώτερης κατηγορίας: -40℃
εύρος χωρητικότητας	0,22～3μF
Μετρημένη ηλεκτρική τάση	3000V.DC～10000V.DC
Cap.tol	±5%(J) ;±10%(K)
Αντοχή στην τάση	1,35 Un DC/10S
Συντελεστής διάχυσης	tgδ≤0,001 f=1KHz
Αντοχή μόνωσης	C≤0,33μF RS≥15000 MΩ (στα 20℃ 100V.DC 60S) C＞0,33μF RS*C≥5000S (στα 20℃ 100V.DC 60S)
Αντοχή κρουστικού ρεύματος	δείτε το φύλλο δεδομένων
Προσδόκιμο ζωής	100000h (Un; Θhotspot≤70°C)
Πρότυπο αναφοράς	IEC 61071;

χαρακτηριστικό

1. Ταινία Mylar, σφραγισμένη με ρητίνη.

2. Καλώδια από χάλκινα παξιμάδια.

3. Αντοχή σε υψηλή τάση, χαμηλό tgδ, χαμηλή άνοδο θερμοκρασίας.

4. χαμηλό ESL και ESR.

5. Ρεύμα υψηλού παλμού.

Εφαρμογή

1. GTO Snubber.

2. Χρησιμοποιείται ευρέως στον ηλεκτρονικό εξοπλισμό ισχύος όταν η τάση αιχμής, προστασία απορρόφησης ρεύματος αιχμής.

Τυπικό κύκλωμα

Σχέδιο περιγράμματος

Προσδιορισμός

Un=3000V.DC
Χωρητικότητα (μF)	φD (mm)	L(mm)	L1(mm)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	Ipk(A)	Irms(A)
0,22	35	44	52	25	1100	242	30
0,33	43	44	52	25	1000	330	35
0,47	51	44	52	22	850	399	45
0,68	61	44	52	22	800	544	55
1	74	44	52	20	700	700	65
1.2	80	44	52	20	650	780	75
1.5	52	70	84	30	600	900	45
2.0	60	70	84	30	500	1000	55
3.0	73	70	84	30	400	1200	65
4.0	83	70	84	30	350	1400	70
Un=6000V.DC
Χωρητικότητα (μF)	φD (mm)	L(mm)	L1(mm)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	Ipk(A)	Irms(A)
0,22	43	60	72	25	1500	330	35
0,33	52	60	72	25	1200	396	45
0,47	62	60	72	25	1000	470	50
0,68	74	60	72	22	900	612	60
1	90	60	72	22	800	900	75

Un=7000V.DC
Χωρητικότητα (μF)	φD (mm)	L(mm)	L1(mm)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	Ipk(A)	Irms(A)
0,22	45	57	72	25	1100	242	30
0,68	36	80	92	28	1000	680	25
1.0	43	80	92	28	850	850	30
1.5	52	80	92	25	800	1200	35
1.8	57	80	92	25	700	1260	40
2.0	60	80	92	23	650	1300	45
3.0	73	80	92	22	500	1500	50

Un=8000V.DC
Χωρητικότητα (μF)	φD (mm)	L(mm)	L1(mm)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	Ipk(A)	Irms(A)
0,33	35	90	102	30	1100	363	25
0,47	41	90	102	28	1000	470	30
0,68	49	90	102	28	850	578	35
1	60	90	102	25	800	800	40
1.5	72	90	102	25	700	1050	45
2.0	83	90	102	25	650	1300	50

Un=10000V.DC
Χωρητικότητα (μF)	φD (mm)	L(mm)	L1(mm)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	Ipk(A)	Irms(A)
0,33	45	114	123	35	1500	495	30
0,47	54	114	123	35	1300	611	35
0,68	65	114	123	35	1200	816	40
1	78	114	123	30	1000	1000	55
1.5	95	114	123	30	800	1200	70