Πυκνωτής IGBT Snubber με μεταλλική μεμβράνη

Μεταλλικός πυκνωτής IGBT Snubber μεμβράνης Προτεινόμενη εικόνα

Σύντομη Περιγραφή:

1. Πλαστική θήκη, σφραγισμένη με ρητίνη.

2. Καλυμμένοι με κασσίτερο χαλκός μόλυβδοι ενθέτων, εύκολη εγκατάσταση για IGBT

3. Αντίσταση σε υψηλή τάση, χαμηλό tgδ, χαμηλή άνοδος θερμοκρασίας.

4. χαμηλή ESL και ESR.

5. Υψηλό ρεύμα παλμού.

Στείλτε μας email Λήψη ως PDF

Λεπτομέρειες προϊόντος

Ετικέτες προϊόντων

Σειρά SMJ-P

Σε εφαρμογές ηλεκτρονικής ισχύος, ένας πυκνωτής απόσβεσης συνδέεται με έναν κόμβο μεταγωγής μεγάλου ρεύματος με σκοπό τη μείωση της παρασιτικής επαγωγής της ηλεκτρικής καλωδίωσης.

Η παρασιτική επαγωγή προκαλεί μεγάλη αύξηση κατά την απενεργοποίηση (όταν το ρεύμα είναι μπλοκαρισμένο) και εάν τέτοιες υπερτάσεις υπερβούν τις ονομαστικές τιμές των εξαρτημάτων, υπάρχουν ανησυχίες για επακόλουθη βλάβη στη χειρότερη περίπτωση.

Χρησιμοποιώντας εσωτερικές κατασκευές χαμηλής επαγωγής, προαιρετικά χυτευμένα περιβλήματα ρητίνης και προσαρμοσμένους ακροδέκτες, η σειρά SMJ-P έχει σχεδιαστεί για γρήγορη εναλλαγή IGBTS και μπορεί να χρησιμεύσει ως snubbers και φίλτρα εισόδου υψηλής συχνότητας υψηλού ρεύματος.

Τεχνικά δεδομένα

Δυναμικό	Ένα 700V.DC, 400Vac; Us1050V
	Διάσταση (mm)
Cn(μF)	Λ(±1)	Τ(±1)	H(±1)	ΤΚΕ @100KHz (mΩ)	ESL(nH)	dv/dt (V/μS)	Ιπκ(Α)	Θερμοκρασία @40℃ @100KHz (A)
0,47	42,5	24,5	27,5	12	25	500	235	8
0,68	42,5	24,5	27,5	10	25	480	326,4	10
1	42,5	24,5	27,5	8	24	450	450	12
1.5	42,5	33,5	35,5	7	25	430	645	5
2	42,5	33	35,5	6	24	420	840	15
2.5	42,5	33	45	6	23	400	1000	18
3	42,5	33	45	5.5	22	380	1140	20
3	57,5	30	45	5	26	350	1050	22
3.5	42,5	33	45	5	23	350	1225	25
3.5	57,5	30	45	6	25	300	1050	22
4.7	57,5	35	50	5	28	280	1316	25
5.6	57,5	38	54	4	30	250	1400	25
6	57,5	38	54	3.5	33	230	1380	28
6.8	57,5	42,5	56	3.2	32	220	1496	32
8	57,5	42,5	56	2.8	30	200	1600	33
Δυναμικό	Τάση 1000V.DC, 500Vac; 1500V
	Διάσταση (mm)
Cn(μF)	Λ(±1)	Τ(±1)	H(±1)	ΤΚΕ (mΩ)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	Ιπκ(Α)	Irms
0,47	42,5	24,5	27,5	11	25	1000	470	10
0,68	42,5	24,5	27,5	8	25	800	544	12
1	42,5	33,5	35,5	6	24	800	800	15
1.5	42,5	33	45	6	24	700	1050	15
2	42,5	33	45	5	22	700	1400	20
2.5	57,5	30	45	5	30	600	1500	22
3	57,5	35	50	4	30	600	1800	25
3.3	57,5	35	50	3.5	28	550	1815	25
3.5	57,5	38	54	3.5	28	500	1750	25
4	57,5	38	54	3.2	26	500	2000	28
4.7	57,5	42,5	56	3	25	420	1974	30
5.6	57,5	42,5	56	2.8	24	400	2240	32
Δυναμικό	Ένα 1200V.DC, 550Vac; Us1800V
Cn(μF)	Λ(±1)	Τ(±1)	H(±1)	ΤΚΕ (mΩ)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	Ιπκ(Α)	Irms
0,47	42,5	24,5	27,5	11	24	1200	564	10
0,68	42,5	33,5	35,5	7	23	1100	748	12
1	42,5	33,5	35,5	6	22	800	800	14
1.5	42,5	33	45	5	20	800	1200	15
2	57,5	30	45	4	30	750	1500	20
2.5	57,5	35	50	4	28	700	1750	25
3	57,5	35	50	4	27	600	1800	25
3.3	57,5	38	54	4	27	550	1815	28
3.5	57,5	38	54	3.5	25	500	1750	28
4	57,5	42,5	56	3.5	25	450	1800	30
4.7	57,5	42,5	56	3.2	23	420	1974	32
Δυναμικό	Ένα 1700V.DC, 575Vac; Us2250V
Cn(μF)	Λ(±1)	Τ(±1)	H(±1)	ΤΚΕ (mΩ)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	Ιπκ(Α)	Irms
0,33	42,5	24,5	27,5	12	25	1300	429	9
0,47	42,5	24,5	27,5	10	24	1300	611	10
0,68	42,5	33,5	35,5	8	23	1300	884	12
1	42,5	33	45	7	22	1200	1200	15
1.5	42,5	33	45	6	22	1200	1800	18
1.5	57,5	30	45	5	31	1200	1800	20
2	57,5	30	45	5	30	1100	2200	22
2.5	57,5	35	50	4	28	1100	2750	25
3	57,5	38	54	4	27	700	2100	25
3.3	57,5	38	54	3.8	26	600	1980	28
3.5	57,5	42,5	56	3.5	25	500	1750	30
4	57,5	42,5	56	3.2	25	450	1800	32
Δυναμικό	Ένα 2000V.DC, 700Vac; Us3000V
Cn(μF)	Λ(±1)	Τ(±1)	H(±1)	ΤΚΕ (mΩ)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	Ιπκ(Α)	Irms
0,22	42,5	24,5	27,5	15	25	1500	330	10
0,33	42,5	33,5	35,5	12	24	1500	495	12
0,47	42,5	33,5	35,5	11	23	1400	658	15
0,68	42,5	33	45	8	22	1200	816	18
0,68	57,5	30	45	7	30	1100	748	20
0,82	42,5	33	45	7	28	1200	984	22
1	57,5	30	45	6	28	1100	1100	25
1.5	57,5	35	50	5	25	1000	1500	28
2	57,5	38	54	5	24	800	1600	28
2.2	57,5	42,5	56	4	23	700	1540	32
Δυναμικό	Τάση 3000V.DC, 750Vac; 4500V
Cn(μF)	Λ(±1)	Τ(±1)	H(±1)	ΤΚΕ (mΩ)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	Ιπκ(Α)	Irms
0,15	42,5	33	45	18	28	2500	375	25
0,22	42,5	33	45	15	27	2200	484	28
0,22	57,5	35	50	15	25	2000	330	20
0,33	57,5	35	50	12	24	1800	495	20
0,47	57,5	38	54	11	23	1600	752	22
0,68	57,5	42,5	56	8	22	1500	1020	28