• bbb

Πυκνωτές Snubber από πολυπροπυλένιο που χρησιμοποιούνται σε εφαρμογές υψηλής τάσης, υψηλού ρεύματος και υψηλών παλμών

Σύντομη περιγραφή:

Axial Snubber πυκνωτής SMJ-TE

Οι Snubber Capacitors είναι πυκνωτές υψηλού ρεύματος, υψηλής συχνότητας με αξονικούς ακροδέκτες.Οι αξονικοί πυκνωτές φιλμ διατίθενται στο CRE.Προσφέρουμε απόθεμα, τιμές και φύλλα δεδομένων για Αξονικούς Πυκνωτές Φιλμ.

1. Πιστοποιημένο ISO9001 και UL.

2. Εκτεταμένο απόθεμα.

 


Λεπτομέρεια προϊόντος

Ετικέτες προϊόντων

Τεχνικά δεδομένα

Εύρος θερμοκρασίας λειτουργίας Μέγιστη Θερμοκρασία λειτουργίας.,Κορυφαία,μέγιστη: + 85℃Θερμοκρασία ανώτερης κατηγορίας: +85℃Θερμοκρασία κατώτερης κατηγορίας: -40℃
εύρος χωρητικότητας 0,1μF~5,6μF
Μετρημένη ηλεκτρική τάση

630V.DC~2000V.DC

Cap.tol

±5%(J) ;±10%(K)

Αντοχή στην τάση

1,5 Un DC/10S

Συντελεστής διάχυσης

tgδ≤0,0005 C≤1μF f=10KHz

tgδ≤0,001 C≥1μF f=10KHz

Αντοχή μόνωσης

C≤0,33μF RS≥15000 MΩ (στα 20℃ 100V.DC 60S)

C>0,33μF RS*C≥5000S (στα 20℃ 100V.DC 60S)

Αντοχή κρουστικού ρεύματος

Προσδόκιμο ζωής

100000h (Un; Θhotspot≤85°C)

Πρότυπο αναφοράς

IEC 61071 ;IEC 61881;GB/T17702

Εφαρμογή

1. IGBT Snubber, GTO snubber

2. Η βασική λειτουργία ενός snubber είναι να απορροφά ενέργεια από τις αντιδράσεις στο κύκλωμα ισχύος.

3. Χρησιμοποιείται ευρέως στον ηλεκτρονικό εξοπλισμό ισχύος όταν η τάση αιχμής, προστασία απορρόφησης ρεύματος αιχμής.

Σχέδιο περιγράμματος

图片1

Αξονικός πυκνωτής SMJ-TE
Τάση Un630V.DC;Urms400Vac;Us 945V
Χωρητικότητα (uF) L (mm±1) T (mm±1) H (mm±1) φd (mm) ESR @100KHz (mΩ) ESL(nH) dv/dt(V/μS) Ipk(A) Irms @25℃ @100KHz (A)
0,22 32 9.5 17.5 0,8 16 23 300 66 5.3
0,33 32 12 20 1 13 22 200 66 6.5
0,47 32 14.5 22.5 1 11 21 220 103.4 8.3
0,68 32 18 26 1 10 20 180 122.4 9.5
1 37 11 19 1 8 28 150 150 7.6
1.5 37 13.5 21.5 1 7 27 150 225 9.5
2 37 16 24 1.2 6 24 130 260 10.2
2.5 37 18 26 1.2 5.5 25 120 300 10.5
3 37 20 28 1.2 5 30 110 330 10.8
3.3 37 21 29 1.2 4.5 30 110 363 11.2
4 57 27 36,5 1.2 4.2 32 220 880 12.8
4.7 57 28 40,5 1.2 3.8 32 200 940 13.8
5.6 57 31 33.5 1.2 3.5 32 185 1036 13.5
6.8 37 29 41,5 1.2 2.5 28 100 680 13.8
6.8 57 34 46,5 1.2 2.8 30 180 1224 14.2
Τάση Un 1000V.DC;Urms 500Vac;Us 1500V
Χωρητικότητα (uF) L (mm±1) T (mm±1) H (mm±1) φd (mm) ESR @100KHz (mΩ) ESL(nH) dv/dt(V/μS) Ipk(A) Irms @25℃ @100KHz (A)
0,15 32 10 17.5 0,8 20 20 1100 165 5.5
0,22 32 12 20 1 15 21 1000 220 7.3
0,33 32 15.5 23 1 13 21 1000 330 8.7
0,47 32 18.5 26 1.2 10 23 1000 470 10.5
0,47 44 14 22 1.2 9 24 900 423 9.5
0,68 32 20 32.5 1.2 7 25 900 612 10.8
0,68 44 17 25 1.2 6 26 800 544 10.2
1 44 21.5 29.5 1.2 5.6 27 900 900 11
1.5 44 26 35,5 1.2 5 29 900 1350 12
1.5 57 21 29 1.2 5 30 700 1050 12.2
2 44 28 40,5 1.2 4.8 30 800 1600 13.2
2 57 24 33.5 1.2 4.8 32 600 1200 12.8
2.2 44 30 42,5 1.2 4.2 32 600 1320 13.8
2.2 57 25 34.5 1.2 4.2 32 500 1100 13.5
2.5 57 25 38 1.2 4 33 500 1250 14.2
3 57 28 40,5 1.2 3.5 34 480 1440 15.6
3.3 57 29.5 42 1.2 3.2 35 450 1485 16.5
3.5 57 30.5 43 1.2 3.2 35 450 1575 17.2
4.7 57 35 50,5 1.2 3 36 420 1974 17.8
5.6 57 38.5 65 1.2 2.8 38 400 2240 18.2
Τάση Un 1200V.DC;Urms 550Vac;Us 1800V
Χωρητικότητα (uF) L (mm±1) T (mm±1) H (mm±1) φd (mm) ESR @100KHz (mΩ) ESL(nH) dv/dt(V/μS) Ipk(A) Irms @25℃ @100KHz (A)
0.1 32 8.5 16 0,8 20 20 1300 130 6
0,15 32 10 17.5 1 18 20 1200 180 7.5
0,22 32 13 21 1 15 22 1200 264 8.3
0,33 32 16 24 1 12 23 1200 396 9
0,47 32 17.5 30 1.2 10 23 1200 564 9.5
0,47 44 15 23 1.2 9 26 1100 517 9.8
0,68 32 21.5 34 1.2 8 25 1100 517 10
0,68 44 18.5 26.5 1.2 6 27 1000 680 11.7
1 44 23 31 1.2 5 28 1000 1000 12.4
1.5 44 26.5 39 1.2 5 30 950 1425 13.5
1.5 57 22.5 30.5 1.2 5 29 900 1350 12.6
2 44 29 45 1.2 5 30 800 1600 14.2
2 57 26.5 34.5 1.2 4.8 30 750 1500 13.8
2.2 44 31 47 1.2 4.2 32 800 1760 14.5
2.2 57 27.5 35,5 1.2 4.2 35 700 1540 14.5
3 57 29 44,5 1.2 3.2 37 500 1500 17.2
3.3 57 30.5 46 1.2 3.2 38 450 1485 17.8
4.7 57 38 53,5 1.2 3 38 420 1974 18.2
Τάση Un 1700V.DC;Urms 600Vac;Us 2550V
Χωρητικότητα (uF) L (mm±1) T (mm±1) H (mm±1) φd (mm) ESR @100KHz (mΩ) ESL(nH) dv/dt(V/μS) Ipk(A) Irms @25℃ @100KHz (A)
0.1 32 9.5 17.5 0,8 18 25 1300 130 7.5
0,15 32 12 20 1 16 24 1200 180 8.5
0,22 32 15 23 1 15 24 1200 264 9.3
0,33 32 18.5 26.5 1 12 22 1200 396 9.9
0,33 44 13.5 21.5 1.2 12 29 1100 363 10.2
0,47 44 16 24 1.2 9 28 1000 470 11.2
0,68 44 20 28 1.2 8 27 1000 680 11.7
1 44 24 33.5 1.2 5.6 26 900 900 12.4
1 57 19.5 27.5 1.2 6 33 850 850 10.8
1.5 44 28 40,5 1.2 4.8 25 800 1200 13.5
1.5 57 24 32 1.2 5 33 750 1125 13.5
2 44 31.5 47 1.2 4.5 24 750 1500 14.2
2 57 27.5 37 1.2 4.8 32 650 1300 12.8
2.2 44 33.5 49 1.2 4.5 34 700 1540 15.6
2.2 57 29 40 1.2 4.2 32 600 1320 14.5
3 57 31 46,5 1.2 4 30 560 1680 17.2
3.3 57 33 48,5 1.2 3.2 29 500 1650 17.6
4 57 37 52,5 1.2 3 28 450 1800 18.2
Τάση Un 2000V.DC;Urms 700Vac;Us 3000V
Χωρητικότητα (uF) L (mm±1) T (mm±1) H (mm±1) φd (mm) ESR @100KHz (mΩ) ESL(nH) dv/dt(V/μS) Ipk(A) Irms @25℃ @100KHz (A)
0,068 32 9 17 0,8 25 23 1500 102 6.9
0.1 32 11.5 19.5 1 18 22 1500 150 8.2
0.1 37 10.5 18.5 1 18 26 1450 145 8
0,22 32 17.5 25.5 1.2 15 21 1400 308 9.1
0,22 37 16 24 1.2 15 25 1300 286 9
0,33 37 20 28 1.2 12 24 1250 412,5 9.5
0,33 44 18 26 1.2 12 30 1200 396 10.2
0,47 44 19.5 32 1.2 10 29 1100 517 12.4
0,68 44 24 36,5 1.2 8 28 1000 680 14.2
0,68 57 18.5 31 1.2 8 27 900 612 14.2
1 57 23.5 36 1.2 6 31 950 950 14.5
1.5 57 29.5 42 1.2 5 31 850 1275 14.5
2 57 33 48,5 1.2 4.2 31 750 1500 16.5
2.2 57 35 50,5 1.2 4 30 700 1540 17.8
Τάση Un 3000V.DC;Urms 750Vac;Us 4500V
Χωρητικότητα (uF) L (mm±1) T (mm±1) H (mm±1) φd (mm) ESR @100KHz (mΩ) ESL(nH) dv/dt(V/μS) Ipk(A) Irms @25℃ @100KHz (A)
0,047 44 13.5 21.5 1 22 20 2000 94 8.5
0,068 44 17 25 1 20 20 1800 122.4 10.5
0.1 44 20.5 28.5 1.2 18 20 1500 150 12.4
0,15 44 26 34 1.2 16 22 1350 202,5 13.8
0,22 44 29 41,5 1.2 14.5 22 1200 264 14.5

βίντεο


  • Προηγούμενος:
  • Επόμενο:

  • Στείλτε μας το μήνυμά σας:

    Γράψτε το μήνυμά σας εδώ και στείλτε το σε εμάς

    Στείλτε μας το μήνυμά σας: